Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Si Reel
STMicroelectronics RF5L05750CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Si Reel
STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Si Reel
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 180
Mult.: 180
: 180

Si Reel
STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) .500 DIA 4-L W/FLG Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

Si Bulk
Microchip Technology DRF1310
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 500 V 2000 W 30 MHz T4 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1
N-Channel Si 500 V 30 MHz
Microchip Technology DRF1310-CLASS-D
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si Bulk
Microchip Technology VRF152G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF152GMP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
MACOM DU1215S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 40
Mult.: 20

Si
MACOM DU2805S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 40
Mult.: 20

Si
MACOM DU28200M
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount
MACOM DU2840S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 40
Mult.: 20

Si
MACOM DU2880T
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si