Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 17.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT H-33288-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

N-Channel Si 50 mA 105 V 400 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 50 W Screw Mount H-36265-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 50 mA 105 V 400 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 50 W Screw Mount H-36265-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-37248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-37248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 90 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 16 dB 430 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 150 W + 225 C SMD/SMT H-37248G-4/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 150 W + 225 C SMD/SMT H-37248G-4/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 220 W + 225 C SMD/SMT H-37288G-4/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

Si Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6E 25W50V TO270-2G
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel Si 210 mA 133 V 1.8 MHz to 2 GHz 27 dB 25 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270G-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas

N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas

N-Channel Si 40 A 125 V 175 MHz 14 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray