Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/TRAYD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 107 mOhms, 155 mOhms 617 MHz to 960 MHz 17.8 dB 850 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-1230-6F-1-7 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 2.9 GHz 14 dB 350 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 2.9 GHz 14 dB 350 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 120 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 14 dB 115 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 120 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 14 dB 115 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 800 MHz 20.5 dB 800 W + 225 C SMD/SMT SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLL3H0914L-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel GaN SiC 50 V 35 mOhms 900 MHz to 1.4 GHz 17 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLL3H0914LS-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel GaN SiC 50 V 35 mOhms 900 MHz to 1.4 GHz 17 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

N-Channel GaN SiC 774 uA 150 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.4 dB 30 W + 225 C SMD/SMT DFN-6 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 150 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.5 dB 190 W + 200 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 150 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.5 dB 190 W + 200 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel