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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY

ART2K0PEGZ
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ART2K0PEGZ

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94-ART2K0PEGZ

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Mult.: 60

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

106 mOhms

1 MHz to 450 MHz

27.7 dB

2 kW

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-1230-4G-1-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/REEL

ART2K0PEY
Ampleon
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ART2K0PEY

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94-ART2K0PEY

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$254.41

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

106 mOhms

1 MHz to 450 MHz

27.7 dB

2 kW

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-1230-4F-1-5

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/TRAY

ART2K0PEZ
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ART2K0PEZ

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94-ART2K0PEZ

Ampleon

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$254.41

Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

106 mOhms

1 MHz to 450 MHz

27.7 dB

2 kW

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-1230-4F-1-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFE/ACC-1230/REEL

ART2K0TFEJ
Ampleon
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ART2K0TFEJ

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94-ART2K0TFEJ

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$330.45

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

107 mOhms

1 MHz to 400 MHz

29 dB

2 kW

+ 225 C

Screw Mount

ACC-1230-6F-3-7

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL

ART2K0TFESJ
Ampleon
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ART2K0TFESJ

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94-ART2K0TFESJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL

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Envase tipo carrete

$321.66

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Mult.: 100

: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

107 mOhms

1 MHz to 400 MHz

29 dB

2 kW

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6F-2-7

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R

ART2K5TFUGJ
Ampleon
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ART2K5TFUGJ

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94-ART2K5TFUGJ

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Dual N-Channel

LDMOS

75 V

100 mOhms

1 MHz to 400 MHz

29.8 dB

2.5 kW

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6G-2-7

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R

ART2K5TFUSJ
Ampleon
100: $347.26
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ART2K5TFUSJ

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94-ART2K5TFUSJ

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$347.26

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Mult.: 100

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Dual N-Channel

LDMOS

75 V

100 mOhms

1 MHz to 400 MHz

29.8 dB

2.5 kW

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6F-2-7

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R

ART2K5TPUY
Ampleon
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ART2K5TPUY

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: 100

Dual N-Channel

LDMOS

75 V

106 mOhms

1 MHz to 400 MHz

28..5 dB

2.5 kW

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-1230-6F-2-7

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL

ART700FHGJ
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ART700FHGJ

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94-ART700FHGJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL

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$214.02

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

171 mOhms

1 MHz to 450 MHz

28.6 dB

700 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1214C-5

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL

ART800PEY
Ampleon
100: $149.83
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ART800PEY

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94-ART800PEY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL

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Envase tipo carrete

$149.83

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

200 mOhms

1 MHz to 650 MHz

29.2 dB

800 W

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-5

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G1819N10DLX
Ampleon
3,000: $23.76
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B10G1819N10DLX

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Ampleon

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$23.76

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

LDMOS

65 V

1.805 GHz to 1.88 GHz

32 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G1819N10DLZ
Ampleon
1,000: $23.76
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Nuevo producto

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B10G1819N10DLZ

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94-B10G1819N10DLZ

Nuevo producto

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

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Envase tipo carrete

$23.76

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

LDMOS

65 V

1.805 GHz to 1.88 GHz

32 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G2022N10DLX
Ampleon
3,000: $23.76
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Nuevo producto

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B10G2022N10DLX

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94-B10G2022N10DLX

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

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Envase tipo carrete

$23.76

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

LDMOS

65 V

2.11 GHz to 2.17 GHz

30.5 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G2022N10DLZ
Ampleon
1,000: $23.76
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Nuevo producto

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B10G2022N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2022N10DLZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

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Envase tipo carrete

$23.76

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

LDMOS

65 V

2.11 GHz to 2.17 GHz

30.5 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2324N10DLX
Ampleon
3,000: $24.22
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
B10G2324N10DLX

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLX

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

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Envase tipo carrete

$24.22

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.4 GHz

31.3 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2324N10DLZ
Ampleon
1,000: $24.22
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
B10G2324N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$24.22

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.4 GHz

31.3 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP

B10G2327N55DZ
Ampleon
500: $27.85
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2327N55DZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2327N55DZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$27.85

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.7 GHz

31.2 dB

46.8 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2527N10DLZ
Ampleon
1,000: $24.43
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
B10G2527N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2527N10DLZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$24.43

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

LDMOS

65 V

2.5 GHz to 2.7 GHz

30 dB

10 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

B10G3336N16DLX
Ampleon
3,000: $25.61
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G3336N16DLX

N.º de artículo de Mouser
94-B10G3336N16DLX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$25.61

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

LDMOS

65 V

3.3 GHz to 3.6 GHz

35 dB

16 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

B10G3336N16DLZ
Ampleon
1,000: $25.61
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G3336N16DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G3336N16DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$25.61

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

LDMOS

65 V

3.3 GHz to 3.6 GHz

35 dB

16 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP

B10G4750N12DLZ
Ampleon
1,000: $21.01
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G4750N12DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G4750N12DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$21.01

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

LDMOS

65 V

4.7 GHz to 5 GHz

30 dB

12 W

+ 125 C

SMD/SMT

LGA-20

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0608N40DX
Ampleon
3,000: $75.99
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10H0608N40DX

N.º de artículo de Mouser
94-B10H0608N40DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$75.99

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

LDMOS

48 V

600 MHz to 800 MHz

34 dB

46.9 dBm

- 40 C

+ 120 C

SMD/SMT

LGA-34

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0608N40DYZ
Ampleon
500: $75.99
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
B10H0608N40DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10H0608N40DYZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$75.99

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

LDMOS

48 V

600 MHz to 800 MHz

34 dB

46.9 dBm

- 40 C

+ 120 C

SMD/SMT

LGA-34

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0710N40DX
Ampleon
3,000: $73.18
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10H0710N40DX

N.º de artículo de Mouser
94-B10H0710N40DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$73.18

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

LDMOS

52 V

700 MHz to 1 GHz

35 dB

47 dBm

- 40 C

+ 120 C

SMD/SMT

LGA-34

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

B11G1822N60DX
Ampleon
1,500: $64.68
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G1822N60DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G1822N60DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$64.68

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

LDMOS

65 V

1.8 GHz to 2.2 GHz

32 dB

48.5 dBm

+ 125 C

SMD/SMT

QFN-36

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
150 mA
150 mA to 190 mA
160 mA to 200 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 2 GHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz
30 MHz to 90 MHz
40 MHz
45 MHz
45 MHz to 6 GHz
60 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB
14.3 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm
20.3 dBm
20.7 dBm
21 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5