GS8160E18DGT Serie Tamaño de memoria RAM (SRAM)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Frecuencia de reloj máxima
Tipo de interfaz
Voltaje de alimentación - Máx.
Voltaje de alimentación - Mín.
Corriente de suministro - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 285 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 320 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 335 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 190 mA, 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 225 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 280 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray