Infineon MOSFETs de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies IMZA75R040M2HXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
70En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R025M2HXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
24En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMDQ75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
30En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
604En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1,330En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
329En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
651En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1,184En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
225En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement