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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

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Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: $4.02
13,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,564En existencias

Cinta cortada

$4.02

$2.60

$1.91

$1.61

$1.43

Envase tipo carrete

$1.39

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: $2.59
3,124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

3,124En existencias

Cinta cortada

$2.59

$1.65

$1.14

$0.967

$0.837

Envase tipo carrete

$0.77

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.83
4,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

4,980En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$1.83

$1.14

$0.758

$0.593

$0.504

Envase tipo carrete

$0.456

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TDSON-8

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1 Channel

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100 A

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- 55 C

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69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.63
6,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

6,441En existencias

Cinta cortada

$2.63

$1.68

$1.13

$0.894

Ver

Envase tipo carrete

$0.761

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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50 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: $2.59
4,333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

4,333En existencias

Cinta cortada

$2.59

$1.64

$1.11

$0.883

Ver

Envase tipo carrete

$0.772

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

100 V

11 A

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- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1: $9.41
1,971En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB020NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,971En existencias

Cinta cortada

$9.41

$6.16

$4.55

$4.04

Envase tipo carrete

$3.58

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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120 A

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155 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.26
14,033En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

14,033En existencias

Cinta cortada

$2.26

$1.44

$0.962

$0.759

$0.693

Envase tipo carrete

$0.644

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $2.04
9,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,948En existencias

Cinta cortada

$2.04

$1.33

$0.859

$0.676

$0.597

Envase tipo carrete

$0.558

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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100 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NSI
Infineon Technologies
1: $1.57
9,541En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

9,541En existencias

Cinta cortada

$1.57

$0.71

$0.547

$0.477

Ver

Envase tipo carrete

$0.389

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TDSON-8

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1 Channel

30 V

100 A

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

BSC0923NDI
Infineon Technologies
1: $2.11
4,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0923NDI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0923NDI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Hoja de datos

4,583En existencias

Cinta cortada

$2.11

$1.34

$0.889

$0.699

Ver

Envase tipo carrete

$0.582

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SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC, 18.4 nC

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.64
9,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0503NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,366En existencias

Cinta cortada

$1.64

$1.03

$0.68

$0.537

Ver

Envase tipo carrete

$0.421

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TSDSON-8

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1 Channel

30 V

82 A

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- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC120N06S5N017ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.04
3,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N017ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N017

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,859En existencias

Cinta cortada

$4.04

$2.61

$1.82

$1.53

$1.43

Envase tipo carrete

$1.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8-43

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

73.7 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.78
9,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPC70N04S5L4R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC70N04S5L4R2AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

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Hoja de datos

9,700En existencias

Cinta cortada

$1.78

$1.12

$0.741

$0.579

Ver

Envase tipo carrete

$0.462

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

3.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1: $2.22
2,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

2,971En existencias

Cinta cortada

$2.22

$1.43

$0.945

$0.745

Ver

Envase tipo carrete

$0.629

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NS
Infineon Technologies
1: $4.94
6,628En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

6,628En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

$4.94

$3.22

$2.52

$2.12

$1.90

Envase tipo carrete

$1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
1: $3.11
5,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L14AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

5,725En existencias

Cinta cortada

$3.11

$1.96

$1.31

$1.06

Ver

Envase tipo carrete

$0.855

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: $3.16
26,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

26,374En existencias

Cinta cortada

$3.16

$2.03

$1.38

$1.15

Ver

Envase tipo carrete

$0.992

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: $2.50
4,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ017NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ017NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,407En existencias

Cinta cortada

$2.50

$1.60

$1.07

$0.846

Ver

Envase tipo carrete

$0.707

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: $2.11
6,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

6,250En existencias

Cinta cortada

$2.11

$1.34

$0.889

$0.699

Ver

Envase tipo carrete

$0.582

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.74
10,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

10,250En existencias

Cinta cortada

$1.74

$1.42

$1.23

$1.12

Ver

Envase tipo carrete

$0.905

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.83
10,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

10,772En existencias

Cinta cortada

$2.83

$1.81

$1.20

$0.979

Ver

Envase tipo carrete

$0.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

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40 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
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IAUC41N06S5L100ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
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IPD050N03LGATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3 G
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IPP111N15N3 G

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726-IPP111N15N3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

BSC0911NDATMA1
Infineon Technologies
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BSC0911NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000934746

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A

3.7 mOhms, 1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

3 nC, 8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W