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BSZ0503NSIATMA1

Name: Infineon BSZ0503NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ0503NSIATMA1
Price: 1.64 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSZ0503NSIATMA1

Fabricante N.º:

BSZ0503NSIATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos:

BSZ0503NSIATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.64	$1.64
	$1.03	$10.30
	$0.68	$68.00
	$0.537	$268.50
	$0.45	$450.00
	$0.442	$1,105.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.421	$2,105.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	82 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	36 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	46 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSZ0503NSI SP001288156
Peso de la unidad:	38.760 mg

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MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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