.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

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Serie = OptiMOS-T

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: $2.59
3,124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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3,124En existencias

Cinta cortada

$2.59

$1.65

$1.14

$0.967

$0.837

Envase tipo carrete

$0.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1: $3.89
1,725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

1,725En existencias

Cinta cortada

$3.89

$3.82

Envase tipo carrete

$1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: $2.80
2,130En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,130En existencias

Cinta cortada

$2.80

$1.91

$1.33

$1.12

$0.936

Envase tipo carrete

$0.891

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $3.91
2,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Cinta cortada

$3.91

$2.55

$1.66

$1.26

Envase tipo carrete

$1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: $3.86
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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980En existencias

Cinta cortada

$3.86

$2.50

$1.78

$1.52

Envase tipo carrete

$1.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
1: $7.02
409En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

Hoja de datos

409En existencias

$7.02

$4.69

$4.52

$4.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: $4.89
725En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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725En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

$4.89

$3.19

$2.50

$2.15

Envase tipo carrete

$1.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB100N10S3-05
Infineon Technologies
1: $6.60
415En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N10S3-05

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726-IPB100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

415En existencias

Cinta cortada

$6.60

$4.94

$3.94

$3.89

Envase tipo carrete

$3.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $4.97
2,884En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,884En existencias

Cinta cortada

$4.97

$3.25

$2.28

$1.94

Envase tipo carrete

$1.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: $3.02
4,782En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

4,782En existencias

Cinta cortada

$3.02

$1.92

$1.34

$1.13

$0.976

Envase tipo carrete

$0.897

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $4.13
5,815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

5,815En existencias

Cinta cortada

$4.13

$4.04

$3.09

$2.59

$2.22

Envase tipo carrete

$1.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $4.58
990En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

$4.58

$2.98

$2.07

$1.68

Envase tipo carrete

$1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
1: $4.04
346En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

346En existencias

Cinta cortada

$4.04

$2.72

$1.96

$1.65

$1.59

Envase tipo carrete

$1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
2,500: $0.831
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-09

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$0.831

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD80N04S3-06
Infineon Technologies
2,500: $1.19
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80N04S3-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80N04S3-06

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$1.19

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-H4
Infineon Technologies
2,500: $1.42
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-H4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-H4

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$1.42

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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