Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881LUA-AAA-000-BU
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
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Interfaz IC USB USB-DATA CONSUMER
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Infineon Technologies
Interfaz IC USB USB-DATA CONSUMER
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Interfaz con sensor Master IO-Link Transceiver 105C
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Analog Devices / Maxim Integrated
Interfaz con sensor Master IO-Link Transceiver 105C
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Equipos y accesorios para inductores WE-CMB, WE-ExB WE-CMBNC 15 values 30 components
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Wurth Elektronik
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Equipos y accesorios para inductores WE-CMB, WE-ExB WE-CMBNC 15 values 30 components
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Reguladores de voltaje de conmutación 4.5-V to 17-V 8-A s ynchronous SWIFT bu A 595-TPS54824RNVR
TPS54824RNVT
Texas Instruments
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Reguladores de voltaje de conmutación 4.5-V to 17-V 8-A s ynchronous SWIFT bu A 595-TPS54824RNVR
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Herramientas de desarrollo de administración de IC TPSM84824EVM-013
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TPSM84824EVM-013
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Herramientas de desarrollo de administración de IC TPSM84824EVM-013
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Herramientas de desarrollo de interfaz Eval Kit MAX14824 (IO-Link Master Transc
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Analog Devices / Maxim Integrated
Herramientas de desarrollo de interfaz Eval Kit MAX14824 (IO-Link Master Transc
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Herramientas de desarrollo de administración de IC Fan 8 Click
MIKROE-4824
Mikroe
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Mikroe
Herramientas de desarrollo de administración de IC Fan 8 Click
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Reguladores de voltaje de conmutación 4.5-V to 17-V 8-A s ynchronous SWIFT bu A 595-TPS54824RNVT
TPS54824RNVR
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Reguladores de voltaje de conmutación 4.5-V to 17-V 8-A s ynchronous SWIFT bu A 595-TPS54824RNVT
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881LSE-AAA-000-RE
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Herramientas de desarrollo de administración de IC Evaluation Module
TPS54824EVM-779
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Reguladores de voltaje de conmutación 4.5V to 17V Input 0 .6V-10V Output 8A P
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Reguladores de voltaje de conmutación 4.5V to 17V Input 0 .6V-10V Output 8A P
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881ESE-AAA-000-RE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3GATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ440N10NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881LSE-AAA-000-SP
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Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
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482-4881LSEAAA000SP
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881EUA-AAA-000-BU
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881LUA-AAA-000-SP
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Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
N.º de artículo de Mouser
482-4881LUAAAA000SP
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
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Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881ESE-AAA-000-SP
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Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
N.º de artículo de Mouser
482-4881ESEAAA000SP
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
US4881EUA-AAA-000-SP
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Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
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482-4881EUAAAA000SP
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa 3 wire Latch
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
Embalaje alternativo
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Detalles
Interfaz IC USB USB-DATA CONSUMER
CY7C652148-24LTXIT
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
727-Y7C65214824LTXIT
Infineon Technologies
Interfaz IC USB USB-DATA CONSUMER
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
BGSA149MN10E6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-BGSA149MN10E6327
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
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12,000
$0.372
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,294 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
49,609 En existencias
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Transistores digitales SOT23 50V .5A NPN RET
PDTD113ZT-QR
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser
771-PDTD113ZT-QR
Nexperia
Transistores digitales SOT23 50V .5A NPN RET
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