Navitas Semiconductor MOSFETs de SiC

Resultados: 38
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
1,759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,547En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,642En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 124En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 565En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,041En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,098En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1,163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 775En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,058En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1,129En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,056En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement