Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

IXTH2N150L

Name: IXYS IXTH2N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH2N150L
Price: 20.38 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXTH2N150L

Fabricante N.º:

IXTH2N150L

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.5KV 2A N-CH LINEAR

Hoja de datos:

IXTH2N150L Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre IXYS IXTH2N150L

En existencias: 151

Existencias:: 151 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$20.38	$20.38
	$12.55	$125.50
	$12.29	$1,474.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6 V
Qg - Carga de puerta:	72 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	290 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Linear
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Standard
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXTH2N150L Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.