5016 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 500V 16A
Hoja de datos
948En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 325 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 46 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 500 V 16 Ohm TO-247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 16 Ohm TO-247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PIN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PIN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 500V 16A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 325 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 46 nC + 150 C 50 W Enhancement Bulk