Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A 1,303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 37 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT 1,279En existencias
1,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT 15,625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A 2,720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 17 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19535KTTT 929En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 197 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 75 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET 1,273En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 259 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 118 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3 6,039En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 53 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET 8,101En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 17.4 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 5,367En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET 6,684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 2 Channel 20 V 3.9 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 600 mV 2.9 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs 3,419En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 20 V 12 A 14 mOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET 14,113En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 25 V 4.5 A - 5 V, 5 V 2.1 V, 1.6 V 6.2 nC, 12 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET 6,399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 2 Channel 25 V 40 A 5 mOhms, 1.1 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 10.7 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synchrnus Buck NxFT Pwr Block 1,618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 25 V 50 A - 8 V, 8 V 1 V, 750 mV 9.7 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST 2,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block 3,607En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A - 8 V, 10 V 1.1 V, 750 mV 16 nC, 20 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT 2,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 45 A 3.9 mOhms, 900 uOhms - 8 V, 10 V 1 V, 750 mV 10.5 nC, 24.3 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck Power Bloc k II A 595-CSD87384 A 595-CSD87384MT 1,163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 6.4 mOhms, 1.95 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 7.1 nC, 31 nC - 55 C + 150 C 8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFE A 595-CSD87501LT 4,736En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT BGA-10 N-Channel 2 Channel 30 V 14 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T 9,169En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 920
: 3,000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 30 V 5 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N 2,902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A 10.4 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 3.2 nC, 13.7 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT 8,538En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET 7,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 700
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 34 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 2.3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT 4,378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 710
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET 1,987En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-6 N-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 20 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.9 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel