Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 200 V 16 mOhm TO-264 145En existencias
108En pedido
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 16 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 140 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-247 MAX 639En existencias
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Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 14 A TO-247 1,517En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 14 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 300 V 75 mOhm TO-247 543En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 44 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 57 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-247 MAX 141En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 41 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 800 V 43 Ohm TO-247 96En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 85 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 18 Ohm TO-247 42En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 27 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm 941En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 400 V 180 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 200 V 20 mOhm TO-247 MAX 23En existencias
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Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 24 A TO-247 50En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 25 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 4 A TO-220 1,109En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4 A 4.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 43 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 600 V 34 A TO-247 30En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 165 nC - 55 C + 150 C 624 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247 80En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12Ohm 1,110En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 220 V 260 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247 44En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm 1,708En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 2,745En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 3,148En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 7.5 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 1,743En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 400 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Depletion Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,940En existencias
1,985En pedido
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET 1,895En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 6 V 1.8 A 160 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V - 40 C + 150 C 568 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 240V 10Ohm 1,822En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 240 V 190 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12 Ohm 0.7A 2,575En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 220 V 260 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V 1,859En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 90 V 350 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 2,343En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 7.5 Ohms - 30 V, 30 V 600 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack