IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
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378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
Hoja de datos
226En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 170 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
659En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
2,989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
Hoja de datos
2,908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
Hoja de datos
295En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
Hoja de datos
745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
Hoja de datos
515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds
Hoja de datos
324En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
Hoja de datos
257En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Hoja de datos
510En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
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298En existencias
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1,881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
395En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Hoja de datos
1,407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
204En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
238En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
Hoja de datos
390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
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4,629En existencias
2,050En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds
Hoja de datos
3,666En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS N-CH 75V 120A
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2,304En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1,005En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube