STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1,938
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor

STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 459En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 328En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 587En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 537En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 183En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 183En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT 63En existencias
44En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Through Hole SDIPHP-30
STMicroelectronics IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode 189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

IGBT Transistors Si SMD/SMT ACEPACK-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET 439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1,142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8 4,620En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET 2,815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET 1,757En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2,767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET 2,534En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET 3,968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 522En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET 580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 863En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1 889En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 534En existencias
396En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel