STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 12 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 20 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 24 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 28 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 30 V TVS
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920En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 33 V TVS
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831En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 36 V TVS
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730En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 40 V TVS
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850En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 58 V TVS
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1,600En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 64 V TVS
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871En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
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770En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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816En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
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2,485En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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461En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
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573En existencias
600En pedido
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
Hoja de datos
513En existencias
Más información disponible
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
54En existencias
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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257En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8
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401En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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101En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1,060En existencias
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MOSFETs Si
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
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179En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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828En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 10 A, Power Schottky Trench Rectifier
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583En existencias
2,500En pedido
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: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 10 A, Power Schottky Trench Rectifier
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1,372En existencias
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: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)