STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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585En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Hoja de datos
596En existencias
599En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs 16A Snubberless 800Vrrm 900Vrsm 35mA
Hoja de datos
1,903En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Triacs Sensitive 8 A High Temperature
Hoja de datos
1,984En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR 12 Amp 400 Volt
Hoja de datos
3,077En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics SCR 16 Amp 800 Volt
Hoja de datos
1,793En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics Triacs 1.0 Amp 800 Volt
Hoja de datos
12,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-92
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
Hoja de datos
3,525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole SOT-32-3
STMicroelectronics Triacs Trans voltage protected AC Switch
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3,895En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Triacs Through Hole TO-92
STMicroelectronics Triacs 6 Amp 400 Volt
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1,356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 6 Amp 600 Volt
Hoja de datos
3,023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 8.0 Amp 600 Volt
Hoja de datos
2,349En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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576En existencias
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: 600

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 12V Bidirect
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3,554En existencias
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Bi
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3,130En existencias
Más información disponible
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
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6,970En existencias
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Mult.: 1
: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
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3,846En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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4,389En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
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3,661En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 18V Unidirect
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10,968En existencias
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: 2,500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
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476En existencias
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores High voltage rectifier for bridge applications
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569En existencias
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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2,122En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
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1,691En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3