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TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

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Serie = TSM

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
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8,207En existencias

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TSM110NB04LCR RLG

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821-TSM110NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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$1.22

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$0.568

$0.486

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$0.415

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SMD/SMT

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1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04CR RLG

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821-TSM033NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

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3,886En existencias

Cinta cortada

$2.48

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Envase tipo carrete

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM280NB06LCR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

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8,422En existencias

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Taiwan Semiconductor
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TSM036N03PQ56 RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM220NB06CR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

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658En existencias

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Taiwan Semiconductor
5,000: $1.02
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TSM025NB04CR RLG

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821-TSM025NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

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$1.02

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161 A

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

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Taiwan Semiconductor
5,000: $1.02
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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$1.02

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PDFN56-8

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1 Channel

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+ 175 C

136 W

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.79
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04LCR RLG

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821-TSM033NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$0.79

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PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM045NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $1.02
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM045NB06CR RLG

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821-TSM045NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

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$1.02

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104 A

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $1.02
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM048NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM048NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

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$1.02

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SMD/SMT

PDFN56-8

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1 Channel

60 V

107 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

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105 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.504
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

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$0.504

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SMD/SMT

PDFN56-8

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1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 175 C

83 W

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.504
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$0.504

Min.: 5,000
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PDFN56-8

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1 Channel

40 V

75 A

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- 20 V, 20 V

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39 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.395
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$0.395

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.504
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$0.504

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
180,000: $0.504
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$0.504

Min.: 180,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.48
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.48

$0.926

$0.589

$0.471

Envase tipo carrete

$0.378

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.48
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$1.48

$0.926

$0.608

$0.471

Envase tipo carrete

$0.378

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.395
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$0.395

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.52
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.52

$0.944

$0.619

$0.478

Envase tipo carrete

$0.378

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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