Corrección de factor de energía - PFC 6-pin high performan ce CRM/DCM PFC cont A 595-UCC28056ADBVR
UCC28056ADBVT
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Administración de baterías Standalone single ce ll 2.0-A buck batte
BQ25302RTER
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Administración de baterías Standalone single ce ll 2.0-A buck batte
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Herramientas de desarrollo RF WIRL-EVAL Metis-II 868MHz CE App Not FCC Approved
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Herramientas de desarrollo RF WIRL-EVAL Metis-II 868MHz CE App Not FCC Approved
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CPATMA1
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Administración de baterías Address 2 I2C 1-4 ce ll NVDC Buck-Boost A 595-BQ25713BRSNR
BQ25713BRSNT
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Corrección de factor de energía - PFC 6-pin high performan ce CRM/DCM PFC cont A 595-UCC28056BDBVR
UCC28056BDBVT
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Herramientas de desarrollo RF WIRL-EVAL Tarvos-e 868MHz Eval Kit CE App Not FCC Approved
2607029281001
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Herramientas de desarrollo RF WIRL-EVAL Tarvos-e 868MHz Eval Kit CE App Not FCC Approved
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Reguladores de tensión LDO 100-mA 0.75% Toleran ce A 595-LP2981A-30 A 595-LP2981A-30DBVT
LP2981A-30DBVR
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Reguladores de tensión LDO 100-mA 0.75% Toleran ce A 595-LP2981A-30 A 595-LP2981A-30DBVT
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EEPROM 1024x16-2048x8 2.5V EXT TEMP, SOIC8
93LC86CT-E/SN
Microchip Technology
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N.º de artículo de Mouser 579-93LC86CT-E/SN
Microchip Technology
EEPROM 1024x16-2048x8 2.5V EXT TEMP, SOIC8
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Herramientas de desarrollo de administración de IC Standalone single ce ll 2-A buck battery
BQ25302EVM
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Herramientas de desarrollo de administración de IC Standalone single ce ll 2-A buck battery
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
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IPW60R199CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R099CP
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N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R099CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
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Herramientas de desarrollo RF WIRL-EVAL Tarvos-III 868MHz Int Ant CE App Not FCC Approved
2609019281001
Wurth Elektronik
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N.º de artículo de Mouser 710-2609019281001
Wurth Elektronik
Herramientas de desarrollo RF WIRL-EVAL Tarvos-III 868MHz Int Ant CE App Not FCC Approved
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Amplificadores de audio Mono analog input ce ramic speaker driv
LM48823TL/NOPB
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N.º de artículo de Mouser 926-LM48823TL/NOPB
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Amplificadores de audio Mono analog input ce ramic speaker driv
248 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R199CPXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3
IPP50R250CPXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA60R199CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
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Administración de baterías Vltg Prot For 2-4 Ce ll Li-Ion Batt A 59 A 595-BQ294705DSGT
BQ29442DRBT
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N.º de artículo de Mouser 595-BQ29442DRBT
Texas Instruments
Administración de baterías Vltg Prot For 2-4 Ce ll Li-Ion Batt A 59 A 595-BQ294705DSGT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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IPW60R045CPFKSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045CPFKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA50R140CP
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N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R140CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
87 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R199CP
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N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R199CP
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
375 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
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355 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
355 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA60R299CP
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R299CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
456 En existencias
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