Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ017NE2LS5IATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ021N04LS6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ050N03LS G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ084N08NS5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Power Switch Profet Smart Hide-Side
BTS5012SDA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Power Switch Profet Smart Hide-Side
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART SENSE HI-SIDE PWR SWITCH
BTS640S2G
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
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BTS70061EPPXUMA1
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
BTS722204ESEXUMA1
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
TLE98722QXA40XUMA1
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUA180N10S5N029AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC100N04S6N022ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6L012ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC41N06S5L100ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT150N10S5N035ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6,839 En existencias
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Conversores CA/DC SMPS QUASI-RESONANT PWM CTRLR 800V
ICE2QR2280G
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Conversores CA/DC SMPS QUASI-RESONANT PWM CTRLR 800V
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Conversores CA/DC COOLSET
ICE5QR4780BGXUMA1
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Conversores CA/DC COOLSET
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IGBTs IGBT PRODUCTS
IGB50N65H5ATMA1
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IGBTs IGBT PRODUCTS
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Detalles
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
IKB20N60H3
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N.º de artículo de Mouser 726-IKB20N60H3
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IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
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IGBTs INDUSTRY
IKB40N65EH5ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IKB40N65EH5ATMA1
Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
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IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
IKD15N60RATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IKD15N60RATMA1
Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
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IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IKW50N65SS5XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IKW50N65SS5XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
552 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
IPC50N04S55R8ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPC50N04S55R8AT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPD19DP10NMATMA1
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4,616 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD19DP10NMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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