Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
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BTS5020-1EKA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación CLASSIC PROFET 12V
BTS52001ENAXUMA1
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
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BTS70081EPPXUMA1
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SPOC
BTS722204ESAXUMA1
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Corrección de factor de energía - PFC STAND ALONE PFC CCM W/BROWN OUT
ICE2PCS01GXT
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Corrección de factor de energía - PFC STAND ALONE PFC CCM W/BROWN OUT
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Conversores CA/DC Quasi-Resonant PWM Controller
ICE2QS02G
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Conversores CA/DC Quasi-Resonant PWM Controller
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Conversores CA/DC Quasi-Resonant PWM Controller
ICE2QS03G
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Conversores CA/DC Quasi-Resonant PWM Controller
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Conversores CA/DC COOLSET
ICE3AR1080JGXUMA1
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Conversores CA/DC COOLSET
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDL06G65C5XUMA2
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPA60R125P6XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04LGATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB016N06L3 G
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB016N06L3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB031N08N5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-01
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S4-01
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S400ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S400ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
IPB65R660CFDA
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R660CFDA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
1,871 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB80R290C3AATMA2
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB80R290C3AATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
1,167 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD031N06L3 G
Infineon Technologies
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1,871 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD031N06L3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
1,871 En existencias
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1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S2L-21
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
17,876 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4-08
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1:
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16,189 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N04S4-08
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180C7ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7,454 En existencias
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
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7,306 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
7,306 En existencias
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10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD65R190C7
Infineon Technologies
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1,244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R190C7
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,244 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
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18,029 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N04S403ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
18,029 En existencias
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