Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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32 W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
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TO-270-2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
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Si
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40 V
136 MHz to 520 MHz
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70 W
- 40 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
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- 40 C
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1.8 MHz to 2 GHz
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25 W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
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Si
8 A
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136 MHz to 520 MHz
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70 W
- 40 C
+ 150 C
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728 MHz to 3.7 GHz
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28.8 dBm
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PLD-1.5W