Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
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IPLK80R750P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6
IPP60R160C6XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
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IPW60R160C6FKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
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726-IPW65R420CFDFKSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZ60R060C7XKSA1
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R060C7XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
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$7.36
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD
SPA11N60CFD
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N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60CFD
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.4A TO220-3
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-SPP15N60CFDXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.4A TO220-3
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V
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IXKH24N60C5
IXYS
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747-IXKH24N60C5
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IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V
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Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
KIT6W12VP7950VTOBO1
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N.º de artículo de Mouser
726-KIT6W12VP7950VTO
Infineon Technologies
Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
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No
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35 Amps 600V
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IXKH35N60C5
IXYS
Plazo de entrega no en existencias 83 Semanas
N.º de artículo de Mouser
747-IXKH35N60C5
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35 Amps 600V
Plazo de entrega no en existencias 83 Semanas
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 70 Rds
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IXKH47N60C
IXYS
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
747-IXKH47N60C
Pedido especial de fábrica
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 70 Rds
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 85 Amps 600V 36 Rds
IXKK85N60C
IXYS
Plazo de entrega 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
747-IXKK85N60C
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 85 Amps 600V 36 Rds
Plazo de entrega 13 Semanas
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