Diodos PIN 3000Vr 1.2Vf Ct=3.2pF -65C +175C
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Atenuadores Attenuator,2-18 GHz,6-bit,3mm-20LD,1k
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GaN FETs Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
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GaN FETs Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
WST4100D-GP4
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
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Amplificador de RF Power Amp., .001-27 GHz,. 25W,5x5mm AQFN
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Amplificador de RF Power Amp., .001-27 GHz,. 25W,5x5mm AQFN
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Amplificador de RF Amplifier, 27-31.5 GHz, 0.5W, 4mm24 AQFN
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MAAP-011341-TR1000
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Acondicionamiento de señales Balun, 1:2, 2-20GHz, 3mm PQFN
MABA-011125
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Acondicionamiento de señales Power Divider, 2 Way, 2-20GHz, 3mm PQFN
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Detectores de fase/ tramoyistas Phase Shifter,2.4-5.1GHz,6-bit,4mm PQFN
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937-MAPS011019TR0500
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Detectores de fase/ tramoyistas Phase Shifter,2.4-5.1GHz,6-bit,4mm PQFN
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch, SPDT, DC-67 GHz, 3mm20, Absorptv
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MASW-011152-TR0500
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch, SPDT, DC-67 GHz, 3mm20, Absorptv
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
MRF429
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MRF429
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
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Atenuadores Attenuator, VVA, DC-12 GHz, 50ohms
MACOM MAAV-011017-TR0500
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937-MAAV011017TR0500
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Atenuadores Attenuator, VVA, DC-12 GHz, 50ohms
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Amplificador de RF 10-200MHz NF 2.0dB Gain 27.3dB
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A80-1
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A80-1
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937-A80-1
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Amplificador de RF 10-200MHz NF 2.0dB Gain 27.3dB
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