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VSLY5940

Name: Vishay VSLY5940
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VSLY5940
Price: 1.9 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-VSLY5940

Fabricante N.º:

VSLY5940

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Emisores infrarrojos 940nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.

Hoja de datos:

VSLY5940 Hoja de datos

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	$0.853	$426.50
	$0.816	$816.00
	$0.79	$1,580.00
	$0.71	$2,840.00
	$0.681	$8,172.00
24,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Emisores infrarrojos
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Longitud de onda:	940 nm
Intensidad radiante:	600 mW/sr
Ángulo del haz:	3 deg
If - Corriente directa:	100 mA
Vf - Tensión directa:	1.65 V
Régimen de potencia:	55 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	10 ns
Color de iluminación:	Infrared
Forma de lentes:	Dome
Tipo de producto:	IR Emitters (IR LEDs)
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	VSLY
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Infrared Data Communications
Nombre comercial:	SurfLight
Peso de la unidad:	493.769 mg

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Application Notes

Models

VSLY5940 Symbol & Footprint by SnapMagic

REACH Certificate (PDF)

MXHTS:: 8541410100
CNHTS:: 8541410090
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 854141000
TARIC:: 8541410000
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

SurfLight™ IR Emitters

Vishay Semiconductors SurfLight™ Infrared (IR) Emitters feature 850nm or 940nm peak wavelength, GaAlAs surface emitter chip technology, high radiant power, high optical power, and high speed. SurfLight IR emitters have gullwing or reverse gullwing terminal configurations and are suitable for high pulse current operation. The 940nm IR emitters have a narrower half-degree angle of intensity and better response times for applications. These Vishay compared to the previous generation of IR emitters.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.