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TK063N60Z1,S1F

Name: Toshiba TK063N60Z1,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK063N60Z1S1F
Price: 8.61 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK063N60Z1S1F

Fabricante N.º:

TK063N60Z1,S1F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	63 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	242 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	50 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	105 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	84 ns

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TK063N60Z1,S1F Hoja de datos

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.