Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SH8JC5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JC5TB1
Price: 3.78 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SH8JC5TB1

Fabricante N.º:

SH8JC5TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8JC5TB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SH8JC5TB1

En existencias: 8,080

Existencias:: 8,080 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.78	$3.78
	$2.38	$23.80
	$1.77	$177.00
	$1.51	$755.00
	$1.48	$1,480.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.40	$3,500.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	74 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	130 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	SH8JC5
Peso de la unidad:	83 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SH8JC5TB1 Hoja de datos

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

SH8J Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8J Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a small surface-mount package (SOP8). ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.