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RD3G07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G07BBGTL1
Price: 4.64 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RD3G07BBGTL1

Fabricante N.º:

RD3G07BBGTL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Hoja de datos:

RD3G07BBGTL1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$4.64	$4.64
	$3.03	$30.30
	$2.12	$212.00
	$1.99	$995.00
	$1.89	$1,890.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.74	$4,350.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	62 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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