KTDM8G4B832BGIBCT

Name: SMART KTDM8G4B832BGIBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B83BGIBCT
Price: 68.22 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

473-KTDM8G4B83BGIBCT

Fabricante N.º:

KTDM8G4B832BGIBCT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp

Hoja de datos:

KTDM8G4B832BGIBCT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre SMARTsemi KTDM8G4B832BGIBCT

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$68.22	$68.22
	$63.06	$630.60
	$61.02	$1,525.50
	$59.50	$2,975.00
	$58.01	$5,801.00
	$56.07	$14,017.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	8 Gbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	1.6 GHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-78
Organización:	1 G x 8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.26 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	BR
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM8G4B832BGIBCT Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

MXHTS:: 8542320299
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).