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IS43TR16128C-15HBL

Name: ISSI IS43TR16128C-15HBL
Brand: ISSI
SKU: 870-43TR16128C15HBL
Price: 13.96 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-43TR16128C15HBL

Fabricante N.º:

IS43TR16128C-15HBL

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V

Hoja de datos:

IS43TR16128C-15HBL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	667 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-96
Organización:	128 M x 16
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.425 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Serie:	IS43TR16128C
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	190
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	134 mA
Peso de la unidad:	229 mg

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MXHTS:: 8542320201
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
ECCN:: EAR99

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or 256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.