C3M0060065K

Wolfspeed
941-C3M0060065K
C3M0060065K

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$8.26 $82.60
$6.96 $835.20
$5.21 $2,657.10

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Wolfspeed
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
37 A
60 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
46 nC
- 40 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Marca: Wolfspeed
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 10 S
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 11 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 17 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650V de Wolfspeed ofrecen bajo nivel de resistencias en estado activo y pérdidas de conmutación para lograr una máxima eficiencia y densidad de potencia. Los MOSFET de 650V están optimizados para aplicaciones electrónicas de energía de alto rendimiento, como fuentes de alimentación para servidores, sistemas de carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía, inversores solares (PV), fuentes de alimentación ininterrumpida y sistemas de gestión de baterías. En comparación con el silicio, los MOSFET de carburo de silicio de 650 V de Wolfspeed permiten pérdidas de conmutación menores al 75 %, la mitad de las pérdidas de conducción y 3 veces más densidad de potencia. ½

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