AFGH4L25T120RWD

onsemi
863-AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD

Fabricante:

Descripción:
IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi AFGH4L25T120RWD
Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
Restricción de entrega:
 Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.37 V
20 V
50 A
416 W
- 55 C
+ 175 C
AFGH4L25T120RWD
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 25 A
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Tipo de producto: IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A IGBTs

onsemi AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) feature a robust and cost-effective Field Stop VII Trench construction. The onsemi AFGHxL25T provides superior performance in demanding switching applications. Low on-state voltage and minimal switching loss offer optimum hard and soft switching topology performance in automotive applications.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.