Todos los resultados (1,772)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 150C MOSFET 2,785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 1,990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 1,261En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 2NCH 60V 6A 2,535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 2,445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 2,445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 2,035En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 1,135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET 2,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 2,206En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V 3,216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 5,821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Vishay / Siliconix Reguladores de voltaje de conmutación 4.5VTO20V INPUT 12A MICROBUCK CONVERTER 1,712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600Vds 30V Vgs TO-220 945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V 2,248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600Vds 30V Vgs TO-263 990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V 2,158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V 1,606En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600Vds 30V Vgs TO-247AC 617En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V 769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V 5,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V 5,778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V 3,362En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600Vds 30V Vgs TO-220AB 753En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V 2,167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000