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TAS5612LADDV

Name: Texas Instruments TAS5612LADDV
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TAS5612LADDV
Price: 7.4 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-TAS5612LADDV

Fabricante N.º:

TAS5612LADDV

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Amplificadores de audio 125W St/250W Mono HD Dig-In Pwr Stage A A 595-TAS5612LADDVR

Hoja de datos:

TAS5612LADDV Hoja de datos

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N.º de artículo del Fabricante:

TAS5612LADDVR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

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Amplificadores de audio 125W St/250W Mono HD Dig-In Pwr Stage A A 595-TAS5612LADDV

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Amplificadores de audio
RoHS:
Clase:	Class-D
Potencia de salida:	250 W
Distorsión armónica total (THD) más ruido:	0.05 %
Paquete / Cubierta:	HTSSOP-44
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Serie:	TAS5612LA
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	20 mA
Producto:	Audio Amplifiers
Tipo de producto:	Audio Amplifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	35
Subcategoría:	Audio ICs
Tipo:	Mono, Stereo
Peso de la unidad:	6.300 g

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PCN

Qualification of CFAB as an additional wafer fab site option for select devices in LBC5 process technology (PDF)

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MXHTS:: 8542330299
CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
ECCN:: EAR99

TAS5612LA / TAS5622A PurePath™ Class-D Power Amps

Texas Instruments TAS5612LA is a feature optimized 125W stereo / 250W mono class-D power amplifier based on the TI TAS5612LA. These amplifiers use large MOSFETs for improved power efficiency and a novel gate drive scheme for reduced losses in idle and at low output signals leading to reduced heat sink size. TAS5622A is a 125W stereo / 250W stereo thermally-enhanced version of the class-D power amplifier based on the TAS5612A using large MOSFETs for improved power efficiency and a novel gate drive scheme for reduced losses in idle and at low output signals leading to reduced heat sink size.