STW33N60DM2

STMicroelectronics
511-STW33N60DM2
STW33N60DM2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
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$3.45 $2,070.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Brand: STMicroelectronics
Configuration: Single
Country of Assembly: Not Available
Country of Diffusion: Not Available
Country of Origin: SG
Fall Time: 9 ns
Product Type: MOSFETs
Rise Time: 8 ns
Series: STW33N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategory: Transistors
Typical Turn-Off Delay Time: 62 ns
Typical Turn-On Delay Time: 17 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
85412999
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.