STI47N60DM6AG

STMicroelectronics
511-STI47N60DM6AG
STI47N60DM6AG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 21

Existencias:
21 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 21 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$9.39 $9.39
$6.81 $68.10
$4.52 $452.00
$4.33 $2,165.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
I2PAK-3
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STI47N60DM6AG
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.