Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

STDRIVEG612QTR

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STDRIVEG612QTR

Fabricante N.º:

STDRIVEG612QTR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

STDRIVEG612QTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics STDRIVEG612QTR

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	Gate Driver
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	1.8 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	10.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de subida:	22 ns
Tiempo de caída:	13 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de retardo de apagado máximo:	65 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	65 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Voltaje de salida:	520 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	65 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.8 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	STDRIVE

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STDRIVEG612QTR Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.