IXTY1R4N120P

IXYS
747-IXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1200V 15 Rds

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$6.58 $6.58
$3.28 $32.80
$2.98 $208.60
$2.80 $1,568.00
$2.76 $2,898.00
$2.42 $6,098.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
1.4 A
15 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
24.8 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 70
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99