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IXTH76P10T

Name: IXYS IXTH76P10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH76P10T
Price: 11.41 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTH76P10T

Fabricante N.º:

IXTH76P10T

Fabricante:

IXYS

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	76 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	197 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	298 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchP
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	IXTH76P10
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	6 g