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GS8161Z32DD-150

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Mouser N.º:

464-GS8161Z32DD-150

Fabricante N.º:

GS8161Z32DD-150

Fabricante:

GSI Technology

Descripción:

SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M

Hoja de datos:

GS8161Z32DD-150 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	GSI Technology
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:	N
Tamaño de memoria:	18 Mbit
Organización:	512 k x 32
Tiempo de acceso:	7.5 ns
Frecuencia de reloj máxima:	150 MHz
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.3 V
Corriente de suministro - Máx.:	180 mA, 190 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-165
Empaquetado:	Tray
Marca:	GSI Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	GS8161Z32DD
Cantidad de empaque de fábrica:	36
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	NBT SRAM
Tipo:	NBT

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Hoja de datos

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MXHTS:: 8542320201
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
ECCN:: 3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.