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BSZ0905PNSATMA1

Name: Infineon BSZ0905PNSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ0905PNSATMA1
Price: 2.35 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSZ0905PNSATMA1

Fabricante N.º:

BSZ0905PNSATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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	$0.664	$664.00
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.54	$2,700.00
	$0.532	$13,300.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Modo canal:	Enhancement
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Número de canales:	1 Channel
Paquete / Cubierta:	TSDSON-8
Dp - Disipación de potencia :	69 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	43.2 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.7 mOhms
Tiempo de subida:	46 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	P-Channel
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Alias de las piezas n.º:	BSZ0905PNS SP005399015
Peso de la unidad:	38.760 mg